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三星电子拟投资 460 亿元在韩建 NAND 闪存生产线
2020 年 6 月 2 日

三星电子 1 日表示,公司将投入 8 万亿韩元(约合人民币 464.8 亿元)在京畿道平泽工业园区投建尖端 NAND 内存生产线。这是三星电子继上月 21 日发布在该园区投建专司极紫外光(EUV)微影光刻技术的晶圆代工生产线计划后,时隔 10 天再次发布投资计划 … 虽然三星方面未公开具体投资金额,但业界推测上述晶圆代工生产线和 NAND 闪存生产线的投资规模分别达 10 万亿韩元和 8 万亿韩元。

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