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近日，韩国 DRAM 内存芯片巨头 SK 海力士宣布，位于江苏无锡的第二工厂（C2F）已经完成扩建，产出的第一批晶圆良品率也符合预期，计划今年 5 月正式投入量产 … 据了解，SK 海力士无锡二厂项目于 2017 年 10 月签约，2017 年 6 月开工，2018 年 11 月开始设备迁入，总投资达 86 亿美元，其中 16 亿美元用于建设 3.3 万平米的新厂房和附属设施，70 亿美元用于引入全球最先进的内存芯片生产设备 … 目前，SK 海力士占有中国内存芯片市场大约 35%的份额，无锡二厂投用后有望突破 45%。