美媒关注长鑫存储技术突破 相关消息致全球存储巨头股价集体下挫

长鑫存储公布新型 4F² DRAM 架构研发取得进展，该架构通过创新 VSG 垂直包围沟道晶体管解决漏电与短沟道效应痛点，可提升存储密度，预计年底将推出搭载该技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。该消息引发美光、SK 海力士、三星等全球存储巨头股价集体下跌。近年长鑫存储全球 DRAM 市场份额快速提升，目前已升至约 10%，此前其在上海科创板上市后引发全球关注，市场此前普遍认为其前沿存储技术落后于国际巨头，其技术突破大幅影响了投资者对国际巨头市场优势的判断，目前已有苹果等企业开始测试其相关产品。