量子世界新突破：中国科学家借「暗腔」实现真空涨落助力超导提升

中国科学技术大学科研团队首次借助暗腔装置实现真空涨落对超导性能的增强，相关成果发表于《自然》。该团队基于前期真空涨落研究积累，设计出无需外部驱动信号、可放大真空涨落效应的暗腔装置，将六层二硒化铌超导样品置于其中测试，发现样品超导临界温度最高提升 5.4%，临界电流和临界磁场强度也显著增强，多组对照实验证实了腔体与超导材料间的量子耦合作用。理论表明二者通过交换虚光子降低超导态整体能量以提升导电性能，且腔体与材料本征能量匹配度越高增强效果越显著。这项研究开创非接触式超导调控新方法，为理解超导机制、开发新型量子器件提供新视角，在精密实验中具重要应用价值。