群联 CEO 潘健成：DRAM 和 NAND 存储芯片短缺恐持续至 2030 年

群联电子首席执行官潘健成警告，DRAM 内存和 NAND 闪存短缺问题远超市场预期，因结构性转变将持续至 2030 年以后，目前晶圆厂处卖方市场，要求客户预付未来 3 年产能款项。供应短缺局面至少持续到 2030 年，甚至长达十年。他预测，2025 年底到 2026 年，许多公司将因内存供应不足停产或退出产品线。2026 年下半年，大量低利润品牌倒闭，低端产品消失，待供应恢复市场增长才会爆发。此外，英伟达下一代产品线或吞噬超 20% 全球 NAND 产量，未被业界完全计算在内，AI 对 DRAM 的巨大需求将破坏消费细分市场，行业进入深度调整期。