安森美推出垂直氮化镓功率半导体
2025 年 10 月 31 日
安森美宣布推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体,其超高压器件采用 GaN-on-GaN 技术,使电流垂直流过芯片,降低能量损耗和热量,损耗减少近 50%,目前已向早期客户提供 700V 和 1200V 器件样品。
安森美推出垂直氮化镓功率半导体
钛媒体 / 格隆汇 / 界面 / 财联社
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