光刻胶领域我国取得新突破
2025 年 10 月 25 日

北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者,首次运用冷冻电子断层扫描技术,在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为,指导开发出可减少光刻缺陷的产业化方案,相关论文刊发于《自然・通讯》。「显影」是光刻核心步骤,光刻胶在显影液中的微观行为长期是「黑匣子」,制约先进制程良率提升。该技术合成出分辨率优于 5 纳米的微观三维「全景照片」,克服传统技术痛点。彭海琳称,此技术可推动先进制程关键工艺的缺陷控制与良率提升。

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