台积电突破：巨型芯片功耗达 1000W，性能提升 40 倍创纪录

台积电正通过 CoWoS 封装技术突破芯片尺寸与性能极限，中介层面积已突破 2831 平方毫米，未来计划扩展至 7885 平方毫米，可容纳多颗计算芯片与 HBM 内存。为应对高功耗和发热问题，台积电将集成电源管理 IC 并探索高效液冷散热方案。同时，行业需制定新 OAM 形态标准以适应更大尺寸芯片需求，推动高性能计算发展。