Readhub复旦亚纳秒级闪存技术登 Nature
2025 年 4 月 17 日
复旦大学团队通过构建准二维泊松模型预测超注入现象，突破存储速度理论极限，研制出「破晓（PoX）」皮秒闪存器件，擦写速度达 400 皮秒，为目前全球最快的半导体电荷存储技术。
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