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近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的「一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法」专利公布。该方法涉及芯片制造技术领域，包括制备硅基和金刚石基混合键合样品、进行等离子体活化处理、浸泡清洗、滴加氢氟酸进行预键合等步骤。该发明实现以 Cu/SiO2 混合键合为基础的硅 / 金刚石三维异质集成，导致培育钻石概念涨幅超过 16%。