韩媒：SK 海力士 HBM4 良率升至 70% 以上 量产竞争力有望增强

高带宽内存采用 DRAM 芯片垂直堆叠结构，可大幅提升数据处理速度与带宽，但工序复杂，良率损耗风险高，良率偏低将推高生产成本。作为第六代高带宽内存，HBM4 制造难度较以往产品明显提升，量产起步阶段能否稳住良率是决定其大规模生产竞争力的关键变量之一。据行业渠道消息，SK 海力士的 HBM4 产能良率目前已提升至 70% 以上，该良率水平下同等生产投入的合格产出较良率 60% 时增加约 16.7%。此前 SK 海力士在三季度财报电话会上曾表示 HBM4 前后段工艺良率均居业界前列，表现超原定计划并上调了内部目标。当前 SK 海力士、三星和美光均在争夺 HBM4 市场，这一良率进展有望改变行业竞争态势，三家的市场较量将进一步升温。