突破 1 纳米相关瓶颈 科学家破解二维晶体管难题 接触电阻降约 94%

针对二维半导体与金属电极接触电阻过高、二硒化钨内部易出现硒空位阻碍空穴传输的行业瓶颈，华中科技大学与新加坡国立大学联合团队首创可控氧掺杂新方法，通过先制备金属电极再通氧退火的工艺，让氧气渗透填补硒空位、优化界面电子结构，将二硒化钨的接触电阻降幅约 94%，空穴迁移率大幅提升。基于该工艺制备的 16 纳米沟道二硒化钨 p 型晶体管，室温下弹道输运比率达 81%，性能优于同尺寸先进硅基器件，为 1 纳米以下芯片研发扫清了关键障碍。目前该成果仍需解决适配高介电常数绝缘层、二维材料规模化均匀生长等工程问题，才能实现产业化落地。