英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

英飞凌宣布率先在全规模半导体晶圆厂环境中将 300 毫米碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，该创举依托奥地利菲拉赫晶圆厂现有硅半导体制造设备，展现了大尺寸碳化硅晶圆的商业化实际潜力。英飞凌将联动客户与合作伙伴规划 12 英寸碳化硅技术及量产时机，同时推进 200 毫米碳化硅制造路线图。此外，英飞凌还在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在 12 英寸碳化硅上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆的加工效率，减少加工损耗。