三星 2027 年 HBM 产能售罄，预计 2028 年 DRAM 供应仍将紧张

三星电子在 2026 年第三季度财报电话会议上表示，2027 年的高带宽内存产能已按既定目标价格全部售出，预计 2028 年 DRAM 内存供应仍将保持紧张。该季度三星 DRAM 和 NAND 闪存出货量均实现个位数百分比增长，平均售价分别上涨 20% 和近 10%，预计第四季度 DRAM 出货量将增长 15% 至 20%，NAND 出货量增长约 15%。HBM 业务方面，HBM4 产品第三季度销售额环比增长超 3 倍，占 HBM 业务总营收的 60%，三星存储业务已与 10 家客户签署长期供应协议，另有 10 家客户正在洽谈多年期合同，计划通过此类协议锁定 60% 至 70% 的产出。同时三星晶圆代工业务计划增加韩国和美国工厂的投资，考虑扩大晶圆厂及先进封装产能。