掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录

更宽带隙的半导体可使电子产品更小、更高效且能承受更高电压，但带隙越宽材料导电性越难控制。美国康奈尔大学领导的研究团队证明，在氧化铝镓薄膜中掺入硅，可在比以往任何半导体带隙都宽的情况下，依然保持稳定的导电调控能力。