英飞凌将向奥地利工厂投资 11 亿欧元 量产 300 毫米晶圆氮化镓功率半导体

英飞凌宣布将在欧洲建立全球首个基于 300 毫米晶圆的新一代氮化镓功率半导体大规模生产基地，计划到 2034 年向奥地利菲拉赫工厂现有洁净室设施投入约 11 亿欧元，依托现有及升级后的基础设施扩张产能，该基地计划 2027 年底投产。