美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

美光在 2026 年度技术网络研讨会上展望闪存相关产品，预告预计 2027 年下半年产能爬坡的 G11 NAND 闪存，该产品跳过 G10 世代，堆叠超 400 层，采用晶圆对晶圆键合技术，面积存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍，I / O 速率最高可达其 1.5 倍，数据传输能耗降低 25% 以上。美光后续还计划在 NAND 中导入高迁移率材料，实现超密集单元架构、强化节能属性。此外美光介绍了两种 AI 级数据中心级 NAND 设计，还展示了全方位 AI 优化存储解决方案。