消息称长鑫正准备进入闪存市场,与三星、海力士、美光正面竞争
4 小时前
长鑫存储正计划进军闪存市场,拟在北京新工厂建 NAND 闪存研发生产线,还设立相关研发机构,并已就 NAND 业务规划与客户接洽,其中一家初创企业计划采购其 NAND 芯片用于人工智能系统及超级计算机存储产品研发部署。2026 年第二季度,长鑫存储 DRAM 内存营收达 146.24 亿美元,环比增幅 99.3%,市占从一季度的 7.6% 提升至 9.5%。
消息人士:长鑫准备进入闪存市场,与三星、海力士、美光科技正面竞争
同花顺财经 / 华尔街见闻
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