中国移动研究院突破高维量子技术瓶颈 硅光芯片实现高维多体纠缠态规模新纪录

中国移动研究院在高维量子技术领域获重大突破，其团队在硅光量子芯片上成功制备出保真度分别达 93.2% 和 90.1% 的三体四维 GHZ 纠缠态和 W 纠缠态，刷新该领域规模纪录。团队首次提出高维 W 纠缠态普适定义，完善理论框架，还设计出可扩展制备方案，突破规模化制备技术瓶颈。高维量子纠缠在信息容量、抗干扰能力等方面优于二维体系，可为量子计算和量子通信实用化提供关键支撑。