SemiAnalysis：NAND 制造正由钨转钼，泛林集团预期将率先受惠

半导体产业研究机构指出，3D NAND 堆叠层数突破约 300 层后，钼或取代钨成为高层数 NAND 的材料选择，相比钨，钼在提升读写速度、制程工艺、填充能力上有优势。预估 2025-2027 年钼在全球 NAND 总产能占比从个位数中段升至约 30%，2027 年 NAND 钼沉积设备市场规模或超 10 亿美元，若 DRAM 与逻辑芯片也采用钼制程，2030 年整体钼沉积设备市场年规模或达约 20 亿美元。设备供应商中泛林集团将率先受惠，东京电子紧随其后，应用材料、阿斯麦、北方华创则更多受惠于后续 DRAM 及逻辑芯片导入钼制程的需求。