面向 2.5D / 3D 先进封装 长电科技高深宽比 TSV 研发取得突破
8 月 19 日
长电科技在高深宽比先进 TSV 技术研发方面取得重要进展,与合作伙伴完成样品试制,该方案面向 2.5D / 3D 先进封装等高端应用,将增强公司关键底层工艺能力,为高算力、高存力芯片的系统级集成提供一站式制造支撑。
2026-08-19
面向 2.5D / 3D 先进封装 长电科技高深宽比 TSV 研发取得突破2022-07-02
长电科技:已实现 4nm 手机芯片封装体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。