摩根士丹利预估 2026 Q3 全球 DDR4 内存价格上涨 50%

受存储厂商将晶圆产能转向 HBM、DDR5 和高层数 NAND 影响，摩根士丹利预测成熟型 DRAM 内存和 NAND 闪存芯片供应紧张或进一步恶化，2026 年第三季度 DDR4 价格将涨 50%，第四季度再涨 10% 以上，SLC NAND 同期两季度涨幅均超 50%。本轮供应收缩由供给侧变化推动，HBM 晶圆消耗量约为传统 DRAM 的 3 倍，瑞银预计 2027 年英伟达 HBM 消耗量约 251 亿 Gb，全行业需求约 615 亿 Gb。此外 DDR5 价格也呈上涨趋势，美国银行数据显示 8 月 DDR5-5600/6400 24GB 内存现货价格环比涨 8%，同比涨约 483%。