东芝推出采用最新一代工艺的 80V N 沟道功率 MOSFET

东芝推出采用最新一代工艺 U-MOS11-H 制造的 80V N 沟道功率 MOSFET——TPM1R408RH，面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源，即日起开始出货。