混合 CMOS 芯片堆叠层数大幅提升，有助电子设备小型化和性能提升

沙特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域取得突破，研制出全球首个面向大面积电子器件的 6 层堆叠式混合互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片，此前公开报道的混合 CMOS 堆叠层数未超两层，该突破提升了芯片集成密度与能效，有助于电子设备小型化和性能提升。