挑战 ASML，俄罗斯公布国产极紫外光刻设备长期路线图

俄罗斯科学院微结构物理研究所公布国产极紫外（EUV）光刻设备长期路线图，工作波长 11.2 纳米，项目周期始于 2026 年，初期用 40 纳米制造技术，2037 年实现亚 10 纳米制程工艺。该方案未复刻 ASML 架构，采用混合固态激光器、氙气等离子体光源和钌铍反射镜，可降低设备维护需求、规避先进制程复杂步骤。路线图分三个阶段，设备分辨率覆盖 65 纳米至 9 纳米，预计单位成本低于 ASML 平台。不过，研发团队未提及 11.2 纳米波长激光器面临的复杂性，计划可执行性不明。该系列设备旨在满足小型晶圆厂需求，若落地有望以低成本支撑芯片制造与出口。