SK 海力士正在开发新一代低功耗内存 LPDDR5M，其数据传输速率与 LPDDR5T 相同为 9.6Gbps，但能效提升 8%，工作电压降低至 0.98V。该技术有望应用于智能手机等设备端 AI 功能，减少电量消耗。SK 海力士预计最快年内推出 LPDDR5M 产品。同时，公司在高带宽内存 HBM 领域取得进展，12 层堆叠 HBM4 试产良品率提升至 70%，计划 2025 年向英伟达提供 HBM4 样品，支持其 Rubin 架构产品。预计下半年推出首批 12 层堆叠 HBM4 产品，2025 年第三季度全面供应，巩固高端内存市场地位。