我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
2025 年 2 月 3 日
中国科学院微电子研究所成功在太空验证首款国产碳化硅(SiC)功率器件,这标志着第三代半导体材料有望推动我国航天电源系统的升级换代。碳化硅(SiC)功率器件以其高能效、小型化、轻量化的优势,对新一代航天技术发展具有重要战略意义。通过天舟八号货运飞船搭载的碳化硅(SiC)载荷系统,完成了在轨试验与应用验证,为我国探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
华尔街见闻 / 央视新闻
新突破!我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
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