Readhub三星 HBM4 内存进入试生产阶段：计划 2025 年底量产
2025 年 1 月 6 日
三星 DS 部门完成 HBM4 内存逻辑芯片设计，Foundry 业务部已采用 4nm 技术试产。HBM4 内存性能显著提升，单个堆栈带宽达 1.6TB/s，预计 2025 年下半年量产。
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三星 DS 部门完成 HBM4 内存逻辑芯片设计，Foundry 业务部已采用 4nm 技术试产。HBM4 内存性能显著提升，单个堆栈带宽达 1.6TB/s，预计 2025 年下半年量产。
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