北美科学家研发出新型薄膜半导体，电子迁移速度约为传统半导体 7 倍

科学家利用三元碲铋矿晶体材料研制出一种仅 100 纳米厚的超薄晶体薄膜半导体，其电子迁移速度达到传统半导体的 7 倍，创下新纪录。这种薄膜通过分子束外延技术精细控制分子束「逐个原子」构建而成，几乎无缺陷，实现了高电子迁移率。这种超高电子迁移率的薄膜展现出优越的导电性，为制造更高效、更强大的电子设备提供了可能，这些设备将产生更少的热量和浪费更少的能量。潜在应用包括可穿戴式热电设备和利用电子自旋处理信息的「自旋电子」设备。麻省理工学院物理学家 Jagadeesh Moodera 表示，科学家将继续研究和改进这种材料，希望制造更薄、适用于未来电子设备的薄膜。