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铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图：计划 2027 年实现 1000 层堆叠
2024 年 6 月 28 日
铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图，预计 2027 年实现 1000 层堆叠，目标比三星更为激进。铠侠已推出 218 层 BiCS8 3D NAND，未来可能探索五层单元技术，提高位密度。
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