三星年内有望推出 3D HBM 封装技术 SAINT-D，或改变 AI 芯片规则

三星电子计划推出名为 SAINT-D 的 3DIC 先进封装技术，该技术能将处理器和 HBM 内存垂直集成，通过在两者间建立硅中介层来减少距离，从而降低传输延迟，提升电信号质量和数据移动效率。该技术概念验证阶段已正在进行，有望应用于明年的 HBM4 内存中，进而推动 AI 半导体领域和公司 HBM 及代工业务的发展。根据 MGI 数据，先进封装市场的规模预计将从 2023 年的 345 亿美元增长至 800 亿美元。