三星电子为提升 HBM 内存业务竞争力，实施 「双轨化」 改革，现有 DRAM 设计团队负责 HBM3E 研发，新成立的团队专注于 HBM4 开发。HBM4 内存堆叠技术将采用 12 层甚至 16 层，基础裸片设计趋向定制化。三星计划于 2026 年实现 HBM4 量产，与 SK 海力士争夺市场优势。