4 月 4 日
三星在其公开的路线图中展示了 3D DRAM 的发展计划,目前其 DRAM 芯片制造工艺处于 1b 节点,后续有 1c、1D,均为 10nm 级别。在 10nm 以下的节点,将分别命名为 0a、0b、0c、0D,其中 0a 工艺预计于 2027 年底至 2028 年初量产,而 0D 工艺则预计于 2032 年量产。三星将在进入 10nm 工艺后引入 VCT(垂直通道晶体管),并在大约 2030-2031 年升级到堆叠 DRAM,以获得更大容量和更高性能,并可能引入电容器作为辅助。
三星谋划 3D 堆叠内存:10nm 以下一路奔向 2032 年
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