三星将在 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出包括 GDDR7 内存和超高速 DDR5 内存芯片在内的多款尖端内存产品。其中，32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米级工艺技术，提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量，每个引脚的 I/O 速度高达 8000Mbps。这款产品可实现高达 1TB 的 DRAM 模块，满足人工智能和大数据时代对高容量 DRAM 的需求。新的 32Gb DRAM 还使得在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块成为可能，有助于降低数据中心的功耗。