韩媒报道称三星计划将明年的存储芯片开支增加到 65 亿美元，额外增加的资金主要用于建设位于中国西安的闪存工厂二期工程 … 在中国西安，三星 2014 年投资 70 亿美元建设了第一期闪存工厂，主要生产第一代 V-NAND 闪存芯片。2017 年，三星与西安政府签署了新的协议，将在 2020 年之前再次投资 70 亿美元建设第二座闪存工厂。