2019 年 9 月 12 日
日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了 「三星晶圆代工论坛」 SFF 会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中 3nm 工艺明年就完成开发了 … 在 3nm 节点,三星将从 FinFET 晶体管转向 GAA 环绕栅极晶体管工艺,其中 3nm 工艺使用的是第一代 GAA 晶体管,官方称之为 3GAE 工艺 … 在这次的日本 SFF 会议上,三星还公布了 3nm 工艺的具体指标,与现在的 7nm 工艺相比,3nm 工艺可将核心面积减少 45%,功耗降低 50%,性能提升 35%。
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