中国科学院微电子研究所刘明院士团队设计并验证了一款基于 14nm FinFET 工艺的存算一体宏芯片，该芯片结合了非易失和易失存储单元的特点，能够满足片上学习过程中长期与短期信息的存储需求，并通过融合逻辑闪存单元与 SRAM 新型阵列，高效处理片上学习的关键算子。此外，该芯片还集成了低硬件开销的差分型模数转换电路，采用采样电容复用和多元素稀疏感知方法节省面积和功耗。该存算一体宏芯片能够支持具有突触可塑性的神经网络，实现动态的片上学习，官方数据显示 8bit 矩阵-矩阵-向量计算能效达到 22.64TOP/W。